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[转]DDR3详解(以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例)

[Kevin: 解释的很不错]
首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。
DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格可称为存储单元,那么这个表格(存储阵列)就是逻辑 Bank(Logical Bank,下面简称Bank)。

DDR3内部Bank示意图,这是一个NXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。
如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置
目前DDR3内存芯片基本上都是8个Bank设计,也就是说一共有8个这样的“表格”。
寻址的流程也就是先指定Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的确寻址单元。 (更多…)